当前位置:首页 > 数码资讯 >

Globalfoundries:20nm后以技术取胜

2021-10-12 13:28:22
“当谈到FinFET时,它必用在行动处理器上,我们才能真正感受到它的优势,”Globalfoundries技术长办公室先进技术架构主管Subramani Kengeri稍早前台北国际电脑展(Computex)期间的媒体活动上表示。他也指出,在次20nm及以下节点时,他们在High-k/金属闸极上的经验,以及掌握的FinFET专利,将能在行动市场赢得更多优势。

“High-k/金属闸极已经很复杂了,但FinFET更加复杂,”Kengeri说。以一颗20奈米晶片为例,FinFET在超低压时表现仍然很好,但在平面制程,功耗表现非常差。所以,“若稍微提升电压,效能会更好,但这在平面制程上是做不到的。”

至今,我们仍听到28nm有许多问题无法解决,Kengeri说。

Kengeri指出,未来在晶圆代工领域,推动成长的关键在于行动装置所需要的技术,包括长电池寿命,多功能整合,以及低成本。“当结合这些优势,我们就能继续专注在行动市场。我们已经为行动产业中最重要的处理器和绘图单元定义了最佳化技术,这就是我们为客户做的,我们通常与客户花费一年半到两年的时间来合作开发,并确保能长期稳定供货。”

他接着指出,High-k/金属闸极是非常挑战性的技术,很不容易用在制程上,但Globalfoundries已经克服了很多晶圆厂正在面临的问题。如稍早前AMD发表的新系列APU,就是使用该公司的high-K/金属闸极技术。

Globalfoundries从32奈米开始使用high-k/金属闸极技术,据Kengeri表示,到28奈米时,已经有90几款设计开始出货了。

而在28nm以后,Kengeri表示,Globalfoundries的20nm策略仍旧是针对行动应用最佳化,而且会开始使用第三代HIGH-K金属闸极技术。

Globalfoundries在20nm以下节点的技术策略。

[!empirenews.page]

而在14nm及以下制程,Kengeri提出了四个关键技术:FinFET、超紫外光(EUV)微影技术、450mm晶圆,以及矽穿孔(TSV)技术。

FinFET是达到省电,节能和低电压的关键;而EUV则是实现先进制程节点量产的问键。但Kengeri强调,今天的EUV离量产规模还很远。“至少EUV要达到每小时100片晶圆的吞吐量才行。目前仍不得而知会在14或10奈米开始使用,因为目前使用EUV的成本非常高昂,而且吞吐量大约只在每小时5片左右。”

Kengeri特别强调了该公司未来在FinFET方面的优势。“如果你去检视FinFET的业界专利,你会发现,有76%的专利,是掌握在GF,IBM和三星的联盟平台手中,其他对手仅占24%。”

而当被问及20nm以后制程会采用gate-first或是gate-last时,他仅透露:“14nm我们已经知道要用gate-first或是last了,只是现在还没公布。我们的客户并不在乎用的是哪一种技术,重点只在能不能量产而已。”

Kengeri承认EUV的一再延宕确实为晶片产业的进展带来影响。他表示,该公司也同时关注光学193nm以及定向自组装(DSA)等技术,而且也将为目前使用光学技术的客户们提供未来顺利过渡到EUV的升级途径,以进一步协助客户降低成本。

2012第一季,Globalfoundries有83%的营收来自美国。这是该公司目前仍将生产重心放在北美的主因。预估到2013年,该公司全球总产能可达每月二十万片规模。

Globalfoundries技术长办公室先进技术架构主管Subramani Kengeri


电竞政策 www.esports-edu.com
人文生活网